存储芯片三巨头，中国存储芯片三巨头

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于存储芯片三巨头的问题，于是小编就整理了3个相关介绍存储芯片三巨头的解答，让我们一起看看吧。

1. DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快？
2. 为什么台积电的芯片比三星的好？
3. 东芯半导体与兆易创新谁强？

DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快？

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？ 一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。

为什么台积电的芯片比三星的好？

台积电芯片之所以比三星的好是因为发展方向不同。

台积电的芯片不论是工艺技术还是市场地位，都远远超越三星。不过三星也并非没有优势，在芯片细分市场上，三星打下了牢固的基础。比如三星有自己的存储芯片，处理器芯片，而台积电完全就是帮助客户代工，没有自己的产品。台积电每年都会持续投入100亿美元扩充产能，保证产能处于世界第一。这样的产能至少是三星的三倍。

台积电的芯片之所以比三星的好，是因为，在各方面都位于制高点，7纳米，三星选择在7纳米制程直接导入EUV（极紫外光），而台积电则是先推7纳米FinFET，再推7纳米EUV（N7+）。以结果论来看，台积电7纳米家族目前占营收比重已达到3成以上，反观三星7纳米却是良率欠佳的消息频传，甚至传出NVIDIA旗下GPU新品计划抛弃三星8纳米，回头拥抱台积电7纳米。

东芯半导体与兆易创新谁强？

1.要说实力的话还是兆易创新比东芯股份强很多。

2.兆易创新的存储芯片已经开始批量生产ddr4了，而东芯股份还在做ddr3。在营业收入和利润方面兆易创新也比东芯股份多太多了，股票市场市值也一样。

3.不管是谁，都是中国的企业，希望以后都能发展起来，为国争光。

到此，以上就是小编对于存储芯片三巨头的问题就介绍到这了，希望介绍关于存储芯片三巨头的3点解答对大家有用。