中国芯片怎样实现弯道超车，中国芯片弯道超车的机会

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于中国芯片怎样实现弯道超车的问题，于是小编就整理了1个相关介绍中国芯片怎样实现弯道超车的解答，让我们一起看看吧。

中国芯片纳米是什么水平？

应属于中偏上水平。我们28纳米级正迈入14纳米级，而世界一流正由7纳米级往3纳米级研发。

纳米是个长度单位，一纳米等于10亿分之一米。我们目前已由28纳米级迈入14纳米级研发，世界一流是1O纳米级迈向7纳米级研发。

之前中国已有四年内突破10纳米级计划，集全国之力，突破瓶颈，或许两年内达到10纳米级冲到7纳米级世界高峰。



目前最先进国产芯片在14nm。7nm的在研发，估计年底会量产。希望华为能用上。芯片发展近来一直被卡，各种技术封锁，进口设备有钱也买不到。甚至荒唐到连代工的工厂也被禁止交易，导致华为无“芯”可用。

等我们攻克了5nm，以米国为首的先进科技早已换了方向，因为3nm以下，就是硅基芯片的极限了，再往前，就会发生电子隧穿效应，也就是失效了。

中国现在应该在硅基芯片时代向西方低低头，掉转方向，或是碳基芯片，或是量子芯片，努力实现弯道超车。

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