芯片光刻机差距，芯片光刻机差距大不大

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于芯片光刻机差距的问题，于是小编就整理了4个相关介绍芯片光刻机差距的解答，让我们一起看看吧。

世界最好的光刻机制程排名？

根据我的背景知识，目前全球最好的光刻机制程排名是由ASML公司的极紫外光刻机（EUV）技术所占据。ASML是一家荷兰的高科技公司，其EUV光刻机在半导体制造领域具有领先地位。EUV技术相比传统的光刻技术具有更高的分辨率和更好的制程控制能力，能够满足现代芯片制造对于更小、更复杂芯片结构的需求。ASML的EUV光刻机已经被全球主要芯片制造商广泛采用，被认为是目前最先进、最好的光刻机制程技术。

世界最好的光刻机制程是荷兰的ASML

1、原因一：荷兰的ASML公司并不是一家白手起家的公司，而是从著名电子制造商飞利浦，独立出来的一个公 司，背后肯定有相关的人员，经济上的资助。

2、原因二：ASML的光刻机中超过90%的零件都是向外采购的，这与他原来的对手，尼康和佳能是完全不同的。正是因为这样的政策，使得他们能够在整个设备的不同部位同时获得世界上最先进的技术，而他们自身也可以腾出手来在部件整合和客户需求上做文章。

从而在日新月异的芯片制造行业取得竞争优势，而这种高新技术行业马太效应特别明显，一旦有一点差距，很快就会迅速拉大。

3、原因三：“对核心技术的掌握”，最先进的EUV光刻技术，ASML拥有世界第二的专利申请量，说明即便是广泛地外包零件，他们依然对核心技术有着不懈的追求。



euv和duv光刻机的区别？

首先，二者发光原理不同。

DUV光刻机光源为准分子激光，而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式，二者发出的光源也不同。其中，DUV光刻机的波长能达到193纳米，而EUV光源的波长则为13.5纳米。

二者之间的差距十分明显，波长越短，所能实现的分辨率越高。这让EUV光刻机能够承担高精度芯片的生产任务。

其次，二者的光路系统有着明显的差异。

DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻机则不会如此，其介质为空气。

28纳米光刻机能做几纳米芯片？

28nm光刻机虽然与世界先进的5nm或者7nm还有差距，除了一些手机，pc高端芯片做不了，一些通用类的还是可以满足，从理论上来说28nm光刻机能做到7nm，但实际上是难以做到把性能都发挥的淋漓尽致。

最高能做7纳米芯片。

28纳米光刻机最高能做到7纳米芯片，28纳米光刻机实际就是duv光刻机，duv光刻机的光源是193纳米波长的，通过水的折射降低到134纳米，然后通过提高分辨率达到28纳米。目前台积电和三星能28纳米光刻机做到7纳米制程，我国的中芯国际可以做到14纳米量产，最高制程能做到接近7纳米，但目前还在提高良品率。

光刻机的精度由什么决定？

光刻决定了半导体线路的精度，以及芯片功耗与性能，相关设备需要集成材料、光学、机电等领域最尖端的技术，被誉为是半导体产业皇冠上的明珠。单台设备价格在2000万美金以上，是中国半导体设备最需突破的环节之一。

光刻机的精度主要取决于光源波长、物镜分辨率、双工台精度等。

目前全球唯一高端光刻机制造商是荷兰阿斯麦尔公司生产的euv13.5纳米极紫外光光源光刻机，该光刻机是目前全球精度最高的，这是集合了全球顶尖技术组合而成的，其零部件多达十万个，每年产量不超过五十台，从整机安装调试到开始生产要长达一年时间之久，可见该设备的复杂性，任何一个环节出现问题都足以影响该设备的精度。而且13.5纳米的光源属于第五代，和中端193纳米光源的第四代精度相差巨大，所以光源作为最主要的核心部件之一，对精度有决定性影响。再有就是物镜的分辨率，物镜可以达到高2米直径1米，甚至更大。光刻机的整个曝光光学系统，由数十块锅底大的镜片串联组成，其光学零件精度控制在几个纳米以内，目前光刻机镜头最强大的是老牌光学仪器公司德国蔡司，其制造的物镜分辨率是全球第一的。

到此，以上就是小编对于芯片光刻机差距的问题就介绍到这了，希望介绍关于芯片光刻机差距的4点解答对大家有用。