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大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于芯片集成的电路图的问题,于是小编就整理了3个相关介绍芯片集成的电路图的解答,让我们一起看看吧。
芯片上为什么能集成上亿乃至于上百亿(定制的超大芯片有万亿级别)电子元件,简单来说就是在确保其性能的前提下,把每个元件尽量做小,这个方向大家肯定可以理解。
其中做的足够小目前最重要的一环是光刻技术,而确保其特性的前提是材料。
光刻就是把元件的电路图画到芯片上面,这一点在中兴华为事件后被提及很多,难点有两个:
首先是光源,光的波长就是刻刀的大小,太大的刀子自然无法刻出够小的图案,目前最先进的euv极紫外光(波长13nm)只有ASML一家,别无分号。然后就是DUV深紫外光(193nm)原本只能做到130nm工艺,但是因为EUV光刻机比原来预计的晚了10年,加上浸没事曝光和双重曝光技术等不断突破,硬生生支撑到了7nm。16年之后EUV机台正式出货,给了随后的5nm,3nm等等新的可能性。
其次光刻的另一个难点是对准,常常被大家忽略,把nm级别的图案准确投影到晶圆对应位置上,而且还要相对移动,这种难度大家可以类比战斗机空中加油(不完全正确,加油有他自己的技术障碍),但是单从精度来讲,就像两架超音速飞机飞行中,完美对接一个米粒大小的插孔。
至于其他的硅片,电浆蚀刻机,湿蚀刻的酸液,离子植入的靶材等等,每一项都是极大的技术难点,供应商屈指可数,甚至独一无二,所谓的相对于光刻容易突破只是相对。
而同时随着电子元件的不断缩小,新的材料才能确保其稳定性,130nm之前用氧化硅就可以作为via层,隔断金属导线,而现在则需要更低介电系数的才叫才可以实现,同样的前段工艺制造的电容,电阻等元器件要想不被击穿熔断,原先的许多材料参数都要几何级的提升,掺杂浓度差之毫厘就是功亏一篑。这方便个人了解很少,就不献丑了。
首先是工艺厂的光刻等技术使得单个晶体管的年纪非常小线宽和信号传输暂时,干扰等得到有效解决,才有了一个芯片集成几十亿个晶体管的设计。通过多层金属,多个裸芯的堆叠技术也大大提高芯片的集成度,芯片的集成度一直在跟随摩尔定律不断提高。
hc9028芯片的工作原理为内部集成了两个16位定时器TIM1、TIM2,6通道10位ADC,串行通信接口SCI和串行外围部件扩展接口SPI,且具有12 KB的高速闪存FLASH和512 B的RAM存储器,内置锁相环,可用低频的32.768 kHz的晶振就可获得32 MHz时钟,使系统的抗干扰能力大大提高。
拥有低电压复位、非法操作码复位、非法地址复位等功能,使芯片的可靠性和稳定性大大加强,且自带LCD驱动,使电路结构更加简化。MC68HC908LJ12芯片不但拥有强大的功能,而且具有很高的性价比,可以方便地实现各种测量与控制功能,在电表中有着非常广泛的应用。
调角信号解调电路:从调角波中取出原调制信号。
调相波的解调电路:是从调相波中取出原调制信号,即输出电压与输入信号的瞬时相位偏移成正比,又称为鉴相器。
调频波的解调电路:是从调频波中取出原调制信号,即输出电压与输入信号的瞬时频率偏移成正比,又称为鉴频器。
到此,以上就是小编对于芯片集成的电路图的问题就介绍到这了,希望介绍关于芯片集成的电路图的3点解答对大家有用。