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大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于mos驱动芯片的问题,于是小编就整理了3个相关介绍mos驱动芯片的解答,让我们一起看看吧。
导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式,但是,导通内阻跟Vgs有一定关系,也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大,毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds(on)基本上就是该元件典型的内阻,只要完全导通,误差不很大。
没法估算.
因为行业标准,就是用电流元,充电Qg电量后,MOS导通.
但人们用的是电压元.
所以Qg并没有意义.
你需要注意的是,电流不要超过driver的驱动能力.
那么剩下的,就是用示波器,才找到合适的参数.
需要指出的是,driver的输出电流,不是电流元.
第一种、
可以使用如下公式估算,
Ig=Qg/Ton
其中,
Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on, , MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10,开始到VDS下降到其幅值90、的时间.
关于这个问题,当两个MOS管并联时,可能会出现一些问题,如电流不均衡、温度不均等。以下是几种解决方法:
1. 添加电阻:在两个MOS管的源极中间添加一个电阻,可以使电流分布更均匀,从而避免电流不均衡问题。
2. 添加热敏电阻:在两个MOS管的散热片上添加热敏电阻,可以实时检测并调节热量分布,避免温度不均问题。
3. 选用相同的MOS管:选择相同型号的MOS管,可以避免由于参数不同导致的电流和温度不均问题。
4. 使用专门的电路:使用专门的电路来控制两个MOS管的工作状态,可以避免电流和温度不均问题。例如,可以使用功率MOS管驱动芯片来控制MOS管的工作。
您好,两个MOS管并联的解决方法取决于应用场景和要求。以下是一些可能的方法:
1. 使用匹配的 MOS 管:在并联 MOS 管时,它们的参数需要匹配,以避免电流分配不平衡,造成电流的过度集中。因此,可以选择匹配的 MOS 管,以保证它们的参数相似,从而均衡地分配电流。
2. 添加电流限制器:另一种方法是在每个 MOS 管的源极和负载之间添加一个电流限制器,以确保电流分配均匀。这可以通过电阻器、电流源或电感器等来实现。
3. 使用独立的驱动器:如果两个 MOS 管的驱动信号不同步或不平衡,则可能会导致电流分配不均匀。因此,可以使用独立的驱动器来控制每个 MOS 管,以确保它们的工作状态相同。
4. 采用反馈控制:在某些应用中,可以使用反馈控制来监测和调整 MOS 管的工作状态,以确保它们的电流分配均匀。例如,可以使用电流检测器来测量每个 MOS 管的电流,然后根据反馈信号来调整其驱动器的输出。
总之,解决两个 MOS 管并联的问题需要考虑多方面因素,包括参数匹配、电流限制、驱动器设计和反馈控制等。
到此,以上就是小编对于mos驱动芯片的问题就介绍到这了,希望介绍关于mos驱动芯片的3点解答对大家有用。